Semiconduttore di tipo N
Un semiconduttore di tipo N è un tipo di materiale usato in elettronica.
Si ottiene aggiungendo un'impurità a un semiconduttore puro come il silicio o il germanio. Le impurità utilizzate possono essere fosforo, arsenico, antimonio, bismuto o qualche altro elemento chimico. Sono chiamate impurità donatrici. L'impurità è chiamata donatore perché dà un elettrone libero a un semiconduttore. Lo scopo di fare questo è di rendere più portatori di carica, o fili di elettroni disponibili nel materiale per la conduzione. Il materiale finale è molto più conduttivo del silicio o del germanio originale.
Introduzione
I materiali semiconduttori come il silicio e il germanio hanno quattro elettroni nel loro guscio esterno. Il guscio esterno di elettroni è chiamato guscio di valenza. I quattro elettroni sono usati dall'atomo di semiconduttore per formare legami con gli atomi vicini. Questo lascia un basso numero di elettroni disponibili per la conduzione.
Gli elementi pentavalenti sono quegli elementi che hanno cinque elettroni nel loro guscio esterno. Per fare il semiconduttore di tipo n, si aggiungono impurità pentavalenti come il fosforo o l'arsenico. Quattro degli elettroni delle impurità formano legami con gli atomi di silicio circostanti. Questo lascia un elettrone libero. Il materiale risultante ha un gran numero di elettroni liberi. Poiché gli elettroni sono portatori di carica negativa, il materiale risultante è chiamato un semiconduttore di tipo n (o di tipo negativo). L'impurità pentavalente che viene aggiunta è chiamata "drogante" e il processo di aggiunta è chiamato "doping".
Fabbricazione
I semiconduttori di tipo N sono fabbricati per drogaggio di materiale semiconduttore puro. La quantità di impurità aggiunta è molto piccola rispetto alla quantità di semiconduttore. Il modo in cui questo nuovo semiconduttore funziona viene cambiato controllando la quantità del drogante.
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