Il transistor bipolare a eterogiunzione (HBT) è un tipo di transistor a giunzione bipolare (BJT) che utilizza diversi materiali semiconduttori per le regioni di emettitore e di base, creando un'eterogiunzione. L'HBT può gestire segnali di frequenze molto più alte, (fino a diverse centinaia di GHz) rispetto al BJT. L'HBT è comunemente usato nei moderni circuiti ultraveloci, soprattutto nei sistemi a radiofrequenza (RF), e in applicazioni che richiedono un'alta efficienza di potenza, come gli amplificatori di potenza RF nei telefoni cellulari. L'idea di usare un'etero-giunzione è vecchia quanto il BJT convenzionale, risalente a un brevetto del 1951.